江西优良镀三元合金多少钱

化学镀镍、铜、磷三元合金工艺的研究，为提高化学镀镍.磷合金镀层的性能及获得多种性能的合金镀层以拓宽其应用范围在化学镀镍、磷合金液中加入硫酸铜制得镍、铜、磷三元合金,研究了镀液中硫酸镍、次磷酸钠、柠檬酸钠、硫酸铜、稳定剂、光亮剂的含量以及pH值和温度等因素对合金镀层的外观、沉积速度及铜含量的影响，通过5%氯化钠溶液和10%硫酸溶液浸泡试验比较了所得镍、铜、磷合金镀层与镍、磷合金镀层以及前人制得的镍、磷合金镀层的耐蚀性，同时比较了上述镀层的其它性能结果表明，所得镍、铜、磷合金镀层的耐蚀性、外观、结合力、孔隙率、沉积速度、硬度和耐磨性等性能优于镍、磷合金及前人制得的镍、铜、磷台金镀层。

镀镍的技术特性及作用:耐腐蚀性强：该工艺处理后的金属表面为非晶态镀层，抗腐蚀性特别优良，经硫酸、盐酸、烧碱、盐水同比试验，其腐蚀速率低于1cr18Ni9Ti不锈钢。镀镍耐磨性好：由于催化处理后的表面为非晶态，即处于基本平面状态，有自润滑性。因此，摩擦系数小，非粘着性好，耐磨性能高，在润滑情况下，可替代硬铬使用。光泽度高：催化后的镀件表面光泽度为LZ或▽8-10可与不锈钢制品媲美，呈白亮不锈钢颜色。工件镀膜后，表面光洁度不受影响，无需再加工和抛光。表面硬度高：经本技术处理后，金属表面硬度可提高一倍以上，在钢铁及铜表面可达Hv570。镀层经热处理后硬度达Hv1000，工模具镀膜后一般寿命提高3倍以上。5、结合强度大：本技术处理后的合金层与金属基件结合强度增大，一般在350-400Mpa条件下不起皮、不脱落、无气泡，与铝的结合强度可达102-241Mpa。6、仿型性好：在尖角或边缘突出部分，没有过份明显的增厚，即有很好的仿型性，镀后不需磨削加工，沉积层的厚度和成份均匀。工艺技术高适应性强：在盲孔、深孔、管件、拐角、缝隙的内表面可得到均匀镀层，所以无论您的产品结构有多么复杂，本技术处理起来均能得心应手，绝无漏镀之处。8、低电阻，可焊性好。9、耐高温：该催化合金层熔点为850-890度。所以，化学镀镍的工业应用及工艺设计具有多样性和专用性的特点。

镀金，是一种装饰工艺，也是常用词汇之一。镀金最初是指在器物的表面镀上一层薄薄的金子。后来，亦用来比喻人到某种环境中去深造或锻炼只是为了取得虚名。镀金质量的优劣是视镀金层的厚度多少、光泽亮暗为准。现在国际上通行的镀金首饰标准是；好的镀金首饰镀层厚度在10微米-25微米，一般的专业镀金首饰镀层厚度在2微米-3微米，如果在0.18微米以下镀层的首饰，就不能称为“镀金”而称为“涂金”，它属于廉价的首饰工艺 。

镀三元合金技术”是指由高导电性的银做基底，覆盖“三元合金”薄层的双层电镀技术，其中“三元合金”指铜锡锌的合金，铜占55%， 锡占25-30%，锌占15-20%， “三元合金”外观与不锈钢相似。其电阻系数为1.7μΩcm (RF-10 GHz)，导电率为59(106S/m) (RF-10 GHz)， 接触电阻小于10mΩ at 100 cN，在些微活性焊剂的帮助下呈可焊性。“镀三元合金技术”为适应高频连接、在宽频范围内最大传导率的要求而产生，另外，“镀三元合金技术”能使射频器件在经受工业气体、汗渍等的腐蚀或刮擦后，保持良好的外观，而无保护的银镀层即使在通常环境下也会迅速氧化。“镀三元合金技术”防止表面氧化及生膜，使用中不会失去表面光泽。镀三元合金表面防止刮擦、对磕碰不敏感的特性，也防止了镀银的冷焊及非良好配合组装引起的损坏。与镀银相比，在器件组装方面“镀三元合金技术”尤其降低了由擦碰引起的损失。

镀镍目的与作用:镀镍层主要作为铜层和金层之间的阻隔层，镀三元合金防止金铜互相扩散，影响板子的可焊性和使用寿命;同时又镍层打底也大大增加了金层的机械强度。江西优良镀三元合金专业镀镍时注意:打底用或做外观，增进抗蚀能力及耐磨能力，(其中化学镍为现代工艺中耐磨能力超过镀铬)。镀三元合金多少钱(注意， 现在许多电子产品，比如DIN 头，N头，不再使用镍打底，主要是由于镍有磁性，会影响到电性能里面的无源互调)

镀银最早始于1800年，第一个专业镀银的zhuanli是1838年由英国伯明翰的Elkington兄弟提出的，所用的镀液为碱性氰化物镀液，与他们发明的碱性氰化物镀黄金体系很类似。一个多世纪以来，镀银液的基本配方和当年的配方差别不大，仅仅是提高了银配位离子浓度以达到快速镀银的目的而已。氰系镀液过去的主要缺点是使用的电流密度小，现在这个问题也解决了，高效镀银使电流密度可高达10A/dm，光亮镀银可达1．5～3A/dm，其镀面光滑而无需再打光，也可镀厚。近年来快速发展起来的电子元器件的高速选择性镀银，如引线框架的选择性镀银，采用喷射镀的方法。所用的电流密度高达300～3000A/dm，镀液中氰化银钾[KAg(CN)2]的浓度 也高达40～75g/L，阳极采用白金或镀铂的钛阳极，这样在1s内即可镀上约4～5μm的银层，它已能满足硅芯片和银焊垫之间用铝线来键合(Bonding)。